王先生先看看行情再说

1&nbsp;对线上单、多晶电池出现异常进行测试分析 </br>大致流程：异常片和正常片电性能情况对比——发现异常参数——通过漏电、电流密度测试确定是否由于工艺原因引起——对电池进行QE测试，看是否是基区材料出现的问题——扫描PL图谱看是否是原生缺陷——对电池进行去电极、背场、SiN膜抛光——缺陷腐蚀或者进行SIMS测试——通过测试结果分析晶体生长中出现的问题 </br>2&nbsp;与浙大硅材料实验室和上海埃文斯测试分析机构有些合作。 </br>3&nbsp;参与制定公司硅片标准并根据工艺方向进行相应的调整。 </br>4&nbsp;对电池片的整个制程工序比较了解，编订了单多晶失效流程分析，并通过测试分析，确定材料中的缺陷或杂质成分对电池效率的影响。 </br>5&nbsp;相关的测试方法：对比测试、量子效率测试、PL\EL测试、SEM测试、O\C含量测试、缺陷腐蚀分析、少子寿命扫描、LBIC和漏电扫描、SIMS测试等 </br>测试仪器：傅立红外测试、晶体晶相测试仪、光学显微镜、MS-203、WT100、RT100、四探针、PV-2000、PL\EL测试仪、反射率测试仪等 </br>6&nbsp;工作业绩：参与编制实验室单、多晶炉操作流程并代新人熟悉流程、快速上手操作；对多家晶体供应商进行审核，并给出合理化建议；编写了缺陷腐蚀流程和操作注意事项；平时做些简单的实验设计和数据统计分析等 </br>7&nbsp;对晶体生长有一定的了解，熟悉CZ法直拉单晶工艺并且可以熟练操作85式炉拉制单晶；对热场设计原理有一定的了解，对之后的开方、滚圆、粘棒、切片清洗包装入库整个流程比较熟悉。也到多家供应商学习过（做过切片方面的DOE实验，取得一些改进效果） </br>8&nbsp;接受过TRIZ理论学习 </br>9&nbsp;熟悉多晶定向凝固铸锭整个流程，包括从开始的坩埚喷涂层——铸锭——开方测试——切片——清包 </br>10&nbsp;熟悉硅片的检验标准，包括单多晶原始硅片 </br>11&nbsp;熟悉各种硅检测试仪器的使用与维护。